請問存儲器分類及定義是怎么樣的

RAMRandom Access Memory，隨機(jī)存取存儲器RAM的特點(diǎn)是：電腦開機(jī)時(shí)，操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序的所有正在運(yùn)行的數(shù)據(jù)和程序都會放置其中，并且隨時(shí)可以對存放在里面的數(shù)據(jù)進(jìn)行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數(shù)據(jù)和程序都會自動清空掉，并且再也無法恢復(fù)。根據(jù)組成元件的不同，RAM內(nèi)存又分為以下十八種：01.DRAM（Dynamic RAM，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內(nèi)存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數(shù)據(jù)會丟失。存取時(shí)間和放電時(shí)間一致，約為2~4ms。因?yàn)槌杀颈容^便宜，通常都用作計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲器。02.SRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）靜態(tài)，指的是內(nèi)存里面的數(shù)據(jù)可以長駐其中而不需要隨時(shí)進(jìn)行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因?yàn)闆]有電容器，因此無須不斷充電即可正常運(yùn)作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。03.VRAM（Video RAM，視頻內(nèi)存）它的主要功能是將顯卡的視頻數(shù)據(jù)輸出到數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負(fù)擔(dān)。它采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計(jì)，其中一個數(shù)據(jù)口是并行式的數(shù)據(jù)輸出入口，另一個是串行式的數(shù)據(jù)輸出口。多用于高級顯卡中的高檔內(nèi)存。04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）改良版的DRAM，大多數(shù)為72Pin或30Pin的模塊。傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數(shù)據(jù)時(shí)，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數(shù)據(jù)。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內(nèi)，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數(shù)據(jù)在內(nèi)存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數(shù)據(jù)。FPM將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512B到數(shù)KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)時(shí)，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時(shí)代和PENTIUM時(shí)代的初期， FPM DRAM被大量使用。05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是繼FPM之后出現(xiàn)的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時(shí)間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應(yīng)用于中檔以下的Pentium主板標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。。06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個地址計(jì)數(shù)器來追蹤下一個地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當(dāng)一個數(shù)據(jù)地址被送出后，剩下的三個數(shù)據(jù)每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數(shù)據(jù)，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內(nèi)存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）MoSys公司提出的一種內(nèi)存規(guī)格，其內(nèi)部分成數(shù)個類別不同的小儲存庫 BANK，也即由數(shù)個屬立的小單位矩陣所構(gòu)成，每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數(shù)主機(jī)板用于L2高速緩存中。08.WRAM（Window RAM，窗口隨機(jī)存取存儲器）韓國Samsung公司開發(fā)的內(nèi)存模式，是VRAM內(nèi)存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式，因此速度相對較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（BitBlt），可應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上。09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成的一種內(nèi)存模式，速度一般可以達(dá)到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內(nèi)存后內(nèi)存控制器需要作相當(dāng)大的改變，因此它們一般應(yīng)用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機(jī)的視頻內(nèi)存中。10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是一種與CPU實(shí)現(xiàn)外頻Clock同步的內(nèi)存模式，一般都采用168Pin的內(nèi)存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t，因此可提升計(jì)算機(jī)的性能和效率。11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機(jī)存取存儲器）SDRAM的改良版，它以區(qū)塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）一般的SRAM是非同步的，為了適應(yīng)CPU越來越快的速度，需要使它的工作時(shí)脈變得與系統(tǒng)同步，這就是SB SRAM產(chǎn)生的原因。13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內(nèi)存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇，因?yàn)樗梢杂行У匮娱L存取時(shí)脈，從而有效提高訪問速度。14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）作為SDRAM的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點(diǎn)：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延時(shí)鎖定回路）提供一個數(shù)據(jù)濾波信號。這是目前內(nèi)存市場上的主流模式。15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環(huán)動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是一種擴(kuò)展型SDRAM結(jié)構(gòu)內(nèi)存，在增加了更先進(jìn)同步電路的同時(shí)，還改進(jìn)了邏輯控制電路，不過由于技術(shù)顯示，投入實(shí)用的難度不小。16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）這是三菱電氣公司首先研制的專利技術(shù)，它是在DRAM芯片的外部插針和內(nèi)部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當(dāng)前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時(shí)鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產(chǎn)生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補(bǔ)充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。17.DDRII Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。18.DRDRAM Direct Rambus DRAM是下一代的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus 公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結(jié)到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。ROMREAD Only Memory，只讀存儲器ROM是線路最簡單半導(dǎo)體電路，通過掩模工藝，一次性制造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存，并且不能夠進(jìn)行修改。一般應(yīng)用于PC系統(tǒng)的程序碼、主機(jī)板上的 BIOS 基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System等。它的讀取速度比RAM慢很多。根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存又分為以下五種：1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）制造商為了大量生產(chǎn)ROM內(nèi)存，需要先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM作為樣本，然后再大量復(fù)制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。它的成本比較低。2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）這是一種可以用刻錄機(jī)將資料寫入的ROM內(nèi)存，但只能寫入一次，所以也被稱為"一次可編程只讀存儲器"One Time Progarmming ROM，OTP-ROM。PROM在出廠時(shí)，存儲的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0部分的PROM在出廠時(shí)數(shù)據(jù)全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1， 以實(shí)現(xiàn)對其"編程"的目的。3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）這是一種具有可擦除功能，擦除后即可進(jìn)行再編程的ROM內(nèi)存，寫入前必須先把里面的內(nèi)容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類芯片比較容易識別，其封裝中包含有"石英玻璃窗"，一個編程后的EPROM芯片的"石英玻璃窗"一般使用黑色不干膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數(shù)據(jù)的方式，它是以約20V的電壓來進(jìn)行清除的。另外它還可以用電信號進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。這類ROM內(nèi)存多應(yīng)用于即插即用（PnP）接口中。5.Flash Memory（快閃存儲器）這是一種可以直接在主機(jī)板上修改內(nèi)容而不需要將IC拔下的內(nèi)存，當(dāng)電源關(guān)掉后儲存在里面的資料并不會流失掉，在寫入資料時(shí)必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點(diǎn)為寫入資料的速度太慢。